原子层沉积 MoS2 单层与 SiO2 界面电子相互作用的直接证据
材料科学
2021-04-28 v1
摘要
利用 X 射线吸收谱 (XAS) 和同步辐射 X 射线光电子能谱 (XPS) 研究了 SiO2 上原子层沉积 MoS2 单层的电子结构。通过第一性原理电子结构模拟，详细分析了 XAS 谱的角度依赖演化以及 XPS 谱的光子能量依赖演化。尽管与理想自由站立 MoS2 单层的理论谱相似，实验谱呈现出区别于理想单层的特征，这可解释为 S-O 范德瓦耳斯 (vdW) 相互作用的结果。实验与理论谱之间的高度一致表明，MoS2 与相邻 SiO2 层之间的 vdW 相互作用能够影响体系的电子结构，体现出 MoS2-SiO2 界面处显著的电子相互作用。
引用
@article{arxiv.2104.13079,
title = {Direct evidence of electronic interaction at the atomic-layer-deposited MoS2 monolayer/SiO2 interface},
author = {Minji Lee and Yejin Kim and Ahmed Yousef Mohamed and Han-Koo Lee and Kyuwook Ihm and Dae Hyun Kim and Tae Joo Park and Deok-Yong Cho},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.13079},
year = {2021}
}