Au(111)上的单层MoS$_2$：带隙重整化与衬底相互作用
强关联电子
2016-04-20 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
通过角分辨光电子能谱、扫描隧道谱和第一性原理计算研究了外延生长在Au(111)上的单层MoS的电子结构。尽管支撑单层在 点价带顶附近的能带色散接近于自由站立层，且计算得到的Au(111)上的电子带隙与自由站立层计算得到的相似，但在二维布里渊区其他点观察到能带结构的显著修正：在 点，价带顶的结合能显著高于自由MoS层，并且在 点最上价带预期的自旋简并被破坏。这些能带结构变化被计算所重现，并可通过MoS平面外轨道与衬底的详细相互作用来解释。
引用
@article{arxiv.1601.00095,
title = {Single-layer MoS$_2$ on Au(111): band gap renormalization and substrate interaction},
author = {Albert Bruix and Jill A. Miwa and Nadine Hauptmann and Daniel Wegner and Søren Ulstrup and Signe S. Grønborg and Charlotte E. Sanders and Maciej Dendzik and Antonija Grubišić Čabo and Marco Bianchi and Jeppe V. Lauritsen and Alexander A. Khajetoorians and Bjørk Hammer and Philip Hofmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.00095},
year = {2016}
}
备注
10 pages, 6 figures