单层 MoS2 的激子能带结构
介观与纳米尺度物理
2015-02-25 v2
摘要
我们从理论角度探讨单层 MoS 中激子的性质，表明低能激子态既出现在布里渊区中心，也出现在布里渊区角点；布里渊区中心的束缚能强烈偏离二维类氢模型的 规律；且布里渊区中心的谷简并激子双重态在有限动量下分裂为一个具有非解析线性色散的上模和一个具有二次色散的下模。尽管单层 MoS 按其准粒子能带结构分类为直接带隙半导体，但按其激发谱分类时，它很可能是一种间接带隙材料。
引用
@article{arxiv.1501.02273,
title = {Exciton band structure of monolayer MoS2},
author = {Fengcheng Wu and Fanyao Qu and A. H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.02273},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 6 figures