单层 MoS2 中准局域激子的低温湮灭率
介观与纳米尺度物理
2019-10-16 v3
摘要
单层过渡金属硫族化合物中强库仑作用保证了带电子的光学激发会产生 Wannier-Mott 激子态，每个激子态可概念化为一个对应于质心运动的高斯波包与一个对应于电子和空穴绕质心运动的轨道态的复合体。在此，我们表明在单层 MoS2 中，给定准局域激子并由此产生显著的激子间距，激子经历偶极-偶极相互作用并以类似于俄歇复合的方式相互湮灭。为构建模型，我们假设每个激子局域于一个长度尺度与激子直径相当的区域，从而使激子表现出费米子行为，而相邻激子间的距离远大于激子直径。我们构造每个激子的轨道阶梯算符并应用费米黄金规则，推导总体复合率作为激子密度的函数。
引用
@article{arxiv.1904.10084,
title = {Low-Temperature Annihilation Rate for Quasi-Localized Excitons in Monolayer MoS2},
author = {Eric Chatterjee and Daniel B. S. Soh and Christopher Rogers and Dodd J. Gray and Hideo Mabuchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.10084},
year = {2019}
}
备注
12 pages, 5 figures