单层 MoS2 中与激子相关的电致发光

激子在 MoS2 中主导了该二维系统的吸收和发射特性。在此，我们研究了在重 p 型掺杂硅衬底上制备的单层 MoS2 电致发光的微观起源。通过比较 MoS2 二极管的光致发光和电致发光，可以识别出与直接激子和束缚激子相关的复合过程。在室温下高电子 - 空穴对注入率时，观察到了束缚激子发射的激子 - 激子湮灭俄歇复合。由于未观察到明显的直接激子饱和，我们预期直接激子 - 激子湮灭寿命将超过载流子寿命。我们相信，这种电注入方法为理解激子复合的微观本质开辟了新途径，并有助于控制 MoS2 中的谷和自旋激发。