层状MoSe2中的激子能带结构：从单层到块体极限
介观与纳米尺度物理
2016-01-20 v2
摘要
我们展示了针对层数从单层(1L)到5L的MoSe2薄膜的显微光致发光(PL)和显微反射对比光谱研究。确定了布里渊区不同点处发生的基态和激发态激子跃迁的层数依赖演化。利用先前为半导体建立的标准形式，解释了1L、2L和3L薄片中激子共振的温度激活能量移动和线宽展宽。单层MoSe2中基态(A)激子的光学响应的特殊形状被暂归因于Fano型共振的出现。单层MoSe2随温度变化的相当简单且明显衰减的PL谱证实，该材料中的基态激子是光学亮激子，这与单层WSe2中的暗激子基态形成对比。
引用
@article{arxiv.1509.06439,
title = {Exciton band structure in layered MoSe2: from a monolayer to the bulk limit},
author = {Ashish Arora and Karol Nogajewski and Maciej R. Molas and Maciej Koperski and Marek Potemski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.06439},
year = {2016}
}
备注
11 pages, 4 figures, excitons, MoSe2, 2D semiconductors, Transition metal dichalcogenides, excited states of excitons, Fano-resonance