WSe2薄膜中的激子共振：从单层到块体材料
介观与纳米尺度物理
2015-03-06 v1
摘要
我们展示了过渡金属硫族化物WSe2薄层（厚度从单层到四层以及块体极限）的光学光谱（光致发光和反射）研究。所研究的光谱显示了激子共振随层厚度的演化，这是由于能带结构的变化，且重要的是也由于库仑相互作用强度的改变。观察到的温度激活的基态直接激子能量移动和展宽，可以用传统半导体使用的标准形式很好地解释。在WSe2单层中观察到光致发光产率随温度大幅增加，表明存在竞争的辐射通道。报道了在WSe2单层中由中性与带电激子共同引起的吸收型共振的观察，并展示了随温度升高振子强度从带电激子向中性激子转移的效果。
引用
@article{arxiv.1503.01682,
title = {Excitonic resonances in thin films of WSe2: From monolayer to bulk material},
author = {Ashish Arora and Maciej Koperski and Karol Nogajewski and Jacques Marcus and Clement Faugeras and Marek Potemski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.01682},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 5 figures