原子级薄层 WSe2 光致发光寿命的温度依赖性
介观与纳米尺度物理
2019-12-06 v1
摘要
在低温下，单层 WSe2 的光致发光光谱呈现出若干与所谓局域激子复合相关的谱线。这些谱线的强度随温度升高而急剧下降。为理解该现象背后的机制，我们开展了时间分辨实验，揭示了光致发光衰减时间存在相似的变化趋势。我们的结果确认，额外非辐射弛豫通道的开启是观测到的局域激子光致发光温度猝灭的主要原因。
引用
@article{arxiv.1912.02573,
title = {Temperature dependence of photoluminescence lifetime of atomically thin WSe2 layer},
author = {Aleksandra Łopion and Mateusz Goryca and Tomasz Smoleński and Kacper Oreszczuk and Karol Nogajewski and Maciej R. Molas and Marek Potemski and Piotr Kossacki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.02573},
year = {2019}
}