单层MoSe2中的激子态：对带间跃迁的影响

我们结合4K下的线性和非线性光学光谱与第一性原理计算来研究MoSe2单层的电子能带结构。在1光子光致发光激发（PLE）和反射率中，我们测量到A和B激子发射之间的分离为220 meV。在2光子PLE中，我们检测到A和B激子的2p态在各自1s态之上180meV。在二次谐波产生（SHG）光谱中，我们记录到在带电激子和1s及2p中性A和B激子共振处SHG信号增强超过2个数量级。我们的后密度泛函理论计算显示在导带沿$K-\Gamma$方向有一个局域极小值，其在能量和k空间上接近K点的全局极小值。这对支配带间跃迁的激子态的极化和能量有潜在强烈影响，并且标志着与MoS2和WSe2单层的重要差异。