单层及少层 MoS$_{2}$ 的斯塔克效应光谱学

我们展示了通过直流斯塔克效应，对嵌入光电容器件中的单层及少层 $MoS_{2}$ 晶体的 A-激子带间跃迁进行电学控制。依赖于电场的低温光致发光光谱揭示了 A-激子跃迁能量的显著可调性，最高达 $\sim 16 meV$，从中我们提取出平均直流激子极化率 $<\bar{\beta}>_{N} = (0.58 \pm 0.25) \cdot 10^{-8} DmV^{-1}$。激子极化率被证明与层数无关，表明电子和空穴波函数在每一单独层中均强局域化。