原子薄半导体中的室温量子限制 Stark 效应

过渡金属硫族化物单层中受电场控制的二维（2D）激子动力学是当前凝聚态物理的研究焦点。我们在室温下通过受控改变垂直直流电场，实验研究了二硒化钼（MoSe2）单层中 A 激子的光谱与时间特性。利用稳态与时间分辨光致发光光谱，我们观察到直流场诱导的光谱位移与线宽展宽，这与场致解离导致激子非辐射寿命缩短相一致。我们讨论了该结果对基于层状 2D 半导体的纳米计量学与探索性光电子学技术未来发展的意义。