MoS$_2$ 单层中的激子 Stark 效应
材料科学
2016-12-28 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们从理论上研究了施加面内电场下 MoS 单层中的激子。紧束缚与 Bethe-Salpeter 方程计算预测，在 10 V/m 的电场下，线性吸收光谱中会出现量级为几 meV 的二次 Stark 频移。随着电场增强，由于激子场电离为自由载流子（这反映在激子波函数中），主激子峰的光谱权重会降低几个百分点。在几十 V/m 的电场下，亚皮秒级的激子衰变寿命可被用于太阳能收集与光电探测。我们发现了激子束缚能、半径与振子强度随介电环境与电场的简单标度关系，这为设计 MoS 的电光响应提供了一条途径。
引用
@article{arxiv.1606.03902,
title = {Excitonic Stark effect in MoS$_2$ monolayers},
author = {Benedikt Scharf and Tobias Frank and Martin Gmitra and Jaroslav Fabian and Igor Žutić and Vasili Perebeinos},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.03902},
year = {2016}
}
备注
9 pages, 7 figures