单层 WS$_2$ 自旋分裂价带中的电声耦合
强关联电子
2017-09-13 v1 材料科学
摘要
反演对称性的缺失导致半导体单层过渡金属硫族化物（如 MoS 或 WS）的上价带发生强烈的自旋轨道分裂。这使得能够直接比较仅在自旋上有所不同的态之间的电声耦合强度。本文通过第一性原理计算和角分辨光电子能谱研究了单层 WS 价带顶的电声耦合。发现两个自旋分裂支的耦合强度差异极大，对于自由站立层的上自旋分裂价带和下自旋分裂价带，计算值分别为 0.0021 和 0.40。当包含实验中存在的 Au(111) 衬底所涉及的散射过程时，这种差异有所减小，且实验结果证实了强烈依赖于支的耦合强度。
引用
@article{arxiv.1706.05484,
title = {Electron-phonon coupling in the spin-split valence band of single layer WS$_2$},
author = {Nicki Frank Hinsche and Arlette S. Ngankeu and Kevin Guilloy and Sanjoy K. Mahatha and Antonija Grubišić Čabo and Marco Bianchi and Maciej Dendzik and Charlotte E. Sanders and Jill A. Miwa and Harsh Bana and Elisabetta Travaglia and Paolo Lacovig and Luca Bignardi and Rosanna Larciprete and Alessandro Baraldi and Silvano Lizzit and Kristian Sommer Thygesen and Philip Hofmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.05484},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 4 figures