比较金刚石、硅和碳化硅中的电子-声子耦合强度：第一性原理研究
材料科学
2014-06-12 v1
摘要
从第一性原理研究了四面体半导体金刚石、硅和立方碳化硅中由于电子-声子耦合导致的电子带隙重整化。振动状态与价带顶和导带底的耦合之间存在显著差异。声子与价带顶的耦合强度在三个系统之间相似，并且主要由改变键长的振动主导。与导带底的耦合强度在金刚石、碳化硅和硅中显著不同。在金刚石中，耦合由声子布里渊区中的六个小振动状态口袋主导，这最终导致了该材料中更强的电子-声子耦合。我们的结果代表了朝着先验理解半导体和绝缘体中电子-声子耦合迈出的第一步，这将有助于设计具有定制电子-声子耦合特性的材料。
引用
@article{arxiv.1406.0654,
title = {Comparing electron-phonon coupling strength in diamond, silicon and silicon carbide: First-principles study},
author = {Bartomeu Monserrat and R. J. Needs},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.0654},
year = {2014}
}
备注
9 pages, 8 figures