碳化硅电子能带的热演化
材料科学
2020-01-08 v2
摘要
对于宽温度区间内半导体各单独能带温度依赖性的直接观测并不容易，尤其如此。然而，这一基本特性是理解半导体电子-声子耦合的先决条件。在此，我们将 \emph{ab initio} 多体微扰论应用于六方碳化硅(SiC)晶体的电子-声子耦合，并确定了能带的温度依赖性。我们发现带隙在 0~K 处存在显著的电子-声子重整化。导带与价带在升高温度下均发生移动，表现出不同行为。我们将理论结果与观测到的 SiC 能带边缘热演化进行比较，并结合高温 SiC 电子学及缺陷量子比特操作来讨论我们的发现。
引用
@article{arxiv.1907.06089,
title = {Thermal evolution of silicon carbide electronic bands},
author = {E. Cannuccia and A. Gali},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.06089},
year = {2020}
}
备注
8 pages, 3 figures + Supplementary