硅体热导率的频率依赖性由边界条件决定
材料科学
2024-12-04 v1
摘要
非傅里叶热传导数十年来引发了广泛关注。其中，频率依赖的热导率通过泵-探技术（如时域热复现）得到广泛探索，这些技术用于探测声子平均自由程的谱线。然而，硅体的先前研究虽涵盖广泛的声子分布，却未显示出明显的频率依赖性。在这里，我们报道了Al/Si界面原子尖锐处的频率依赖热传导，其中匹配的德比温度在低能和高能声子之间保持非平衡。当SiO₂ 介层介入时，在室温下该依赖性消失，因为SiO₂ 介层促进声子散射，破坏了热非平衡。在80 K时，频率依赖性重新出现于Al/SiO₂/Si，因为界面声子散射减弱。我们的发现凸显了边界条件在频率依赖热导率中的重要性。
引用
@article{arxiv.2412.02227,
title = {Boundary conditions dictate frequency dependence of thermal conductivity in silicon},
author = {Yizhe Liu and Qinshu Li and Fang Liu and Xinqiang Wang and Bo Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.02227},
year = {2024}
}