声子色散对Si/Ge界面热传导的影响
介观与纳米尺度物理
2010-05-17 v1
摘要
我们报告了针对SiGe超晶格中异质界面热传导的声子玻尔兹曼输运方程（BTE）的有限体积模拟。在广泛的克努森数范围内，实现了包含声子色散和偏振的漫反射失配模型。结果表明，对于亚微米尺度的超晶格周期，Si/Ge超晶格的热导率远低于其组成块体材料的热导率。我们报告了不同材料体积分数和超晶格周期下的有效热导率结果。首次详细描述了源于硅和锗中声子谱失配的光学声子和声学声子之间的非平衡能量交换。确定了这种效应可能产生比声子边界散射显著更多热阻的条件。
引用
@article{arxiv.1005.2578,
title = {Effect of phonon dispersion on thermal conduction across Si/Ge interfaces},
author = {Dhruv Singh and Jayathi Y. Murthy and Timothy S. Fisher},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.2578},
year = {2010}
}
备注
32 pages, 11 figures, 2 tables. Paper presented at the 2009 ASME/Pacific Rim Technical Conference and Exhibition on Packaging and Integration of Electronic and Photonic Systems, MEMS and NEMS (InterPACK '09), San Francisco, CA, Jul 19-23, 2009