拓扑绝缘体能带结构中的温度效应
材料科学
2016-11-30 v2
摘要
我们利用第一性原理方法研究了温度对 BiSe 族拓扑绝缘体能带结构的影响。温度升高驱使这些材料向正常态转变，其中热膨胀和电声子耦合的贡献相当。带隙随温度的变化在 K 时达到 eV，与电子关联引起的变化相当。我们的结果表明，在其他外部参数的临界点附近，应该能够观测到温度诱导的拓扑相变。
引用
@article{arxiv.1608.00584,
title = {Temperature effects in the band structure of topological insulators},
author = {Bartomeu Monserrat and David Vanderbilt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.00584},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 3 figures