通过温度依赖的能带重整化控制 Bi$_2$Te$_3$ 中的谷间散射
强关联电子
2026-02-20 v1 材料科学
摘要
控制拓扑绝缘体中的非平衡电子动力学对于释放其在下一代量子技术中的潜力至关重要。然而，温度在电子能带结构重整化中的作用，进而对电子散射过程的影响仍然不明确。在此，利用高分辨率时间分辨角分辨光电子能谱 (TR-ARPES)，我们表明即使是 BiTe 导带的微小（约 15 meV）重整化也能严重影响体态和表面电子散射过程。在动力学蒙特卡罗玩具模型的支持下，我们证明了体态能带结构中由温度引发的变化会调节谷间电声子散射率，从而重塑非平衡响应。这项工作确立了温度作为工程化拓扑绝缘体散射途径的有效控制旋钮的地位。
引用
@article{arxiv.2506.03251,
title = {Control of intervalley scattering in Bi$_2$Te$_3$ via temperature-dependent band renormalization},
author = {A. Jabed and F. Goto and B. Frimpong and D. Armanno and A. Longa and M. Michiardi and A. Damascelli and P. Hofmann and G. Jargot and H. Ibrahim and F. Légaré and N. Gauthier and S. Beaulieu and F. Boschini},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.03251},
year = {2026}
}