Bi2Se3(111) 拓扑态的稳定性：电子-声子与电子-缺陷散射
材料科学
2012-01-05 v1 介观与纳米尺度物理
强关联电子
摘要
通过温度依赖的角分辨光电子能谱研究了 Bi2Se3(111) 拓扑表面态的电子动力学。在仅可能发生涉及拓扑表面带的带内散射的光谱区域内，确定了电子-声子耦合强度。发现电子-声子耦合常数为 λ=0.25(5)，比贵金属表面态中带内散射的相应值高出一个数量级以上。还通过离子轰击引入少量表面缺陷，测试了拓扑态相对于表面不规则性的稳定性。发现与体态相比，拓扑态在光电子能谱中不再能被观察到，并且这不能仅仅归因于表面缺陷引起的动量展宽。
引用
@article{arxiv.1104.4930,
title = {Stability of the Bi2Se3(111) topological state: electron-phonon and -defect scattering},
author = {Richard C. Hatch and Marco Bianchi and Dandan Guan and Shining Bao and Jianli Mi and Bo Brummerstedt Iversen and Louis Nilsson and Liv Hornekaer and Philip Hofmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.4930},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 3 figures