拓扑绝缘体 Bi2Se3 和 Bi2Te3 中的表面声子
材料科学
2018-01-17 v1
摘要
对拓扑绝缘体 Bi2Se3 和 Bi2Te3 的拉曼散射 [K. M. F. Shahil et al., Appl. Phys. Lett. 96, 153103 (2010), V. Gnezdilov et al., Phys. Rev. B 84, 195118 (2011) and H. H. Kung et al., Phys. Rev. B 95, 245406 (2017)]、非弹性氦散射 [X. Zhu et al., Phys. Rev. Lett. 107, 186102 (2011)] 以及光电子能谱实验 [J. A. Sobota et al., Phys. Rev. Lett. 113, 157401 (2014)] 显示出在 ~ 50-160 cm-1 范围内的特征，这些特征被交替归因于由表面对称性破缺引起的拉曼禁戒体红外模式，或是与拓扑保护的电子态耦合的表面声子。在此，我们展示了依赖于温度和波长的拉曼研究，显示了额外的模式，我们将其归因于 Bi2Se3 和 Bi2Te3 中的表面声子。我们的指认得到了密度泛函理论计算的支持，计算揭示了频率接近于拉曼数据中额外峰的表面声子。理论结果还表明，这些模式并非自旋轨道耦合的结果，因此它们的出现与这些材料的拓扑性质无关。
引用
@article{arxiv.1709.05330,
title = {Surface Phonons in the Topological Insulators Bi2Se3 and Bi2Te3},
author = {Ibrahim Boulares and Guangsha Shi and Emmanouil Kioupakis and Petr Lošťák and Ctirad Uherand Roberto Merlin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.05330},
year = {2018}
}
备注
17 pages, 3 figures