拓扑绝缘体Bi2Se3的磁红外研究
材料科学
2015-08-20 v2
摘要
我们呈现了薄Bi2Se3单晶薄片的磁红外光谱研究。在法拉第几何下，4.2K，高达17.5T磁场中进行了磁红外透射和反射测量。薄Bi2Se3薄片（远小于1{\mu}m厚）稳定在Scotch胶带上，减小的厚度使我们能够获得通过高反射Bi2Se3单晶的显著远红外透射。在Bi2Se3的{\alpha}光学声子模式处，明显的电子-声子耦合表现为Fano共振，源于光学声子模式与电子态连续谱之间的量子干涉。然而，与早先使用磁红外反射光谱在Bi2Se3中观察到的类似Fano共振相反，该Fano共振没有表现出系统的线展宽。
引用
@article{arxiv.1508.04363,
title = {Magneto-Infrared Study of Topological Insulator Bi2Se3},
author = {W. Yu and X. Chen and Z. Jiang and I. Miotkowski and H. Cao and Y. P. Chen and D. Smirnov and L. -C. Tung},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.04363},
year = {2015}
}