拓扑绝缘体 Bi2Se3 中的 Fano q 反转
强关联电子
2016-10-12 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了典型拓扑绝缘体 BiSe 的磁光响应，旨在解决电子-声子耦合这一争议性问题。磁场诱导的反射率变化在光谱的红外部分非常显著，表明存在强电子-声子耦合。这种耦合导致 60 cm 声子模式呈现不对称线型，并在 Fano 理论框架内进行分析。分析表明，当回旋共振与声子模式简并时，Fano 不对称参数 (q) 会改变符号。据我们所知，这是磁场驱动 q 反转的首个实例。
引用
@article{arxiv.1610.02012,
title = {Fano q-reversal in topological insulator Bi2Se3},
author = {S. V. Dordevic and G. M. Foster and M. S. Wolf and N. Stojilovic and H. Lei and C. Petrovic and Z. Chen and Z. Q. Li and L. C. Tung},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.02012},
year = {2016}
}