自旋轨道Mott绝缘体Sr2IrO4中的同位旋-声子耦合与Fano干涉
强关联电子
2019-04-23 v2
摘要
通过温度依赖的声子拉曼散射研究了Sr2IrO4中的同位旋-声子耦合。在所有被研究的光学声子的频率中,观察到在磁转变温度TN ~240 K以下出现反常行为。与Ir-O-Ir键角调制相关的272 cm-1处A1g模检测到最强效应。此外,560 cm-1处的A1g模显示出对TN敏感的Fano非对称线形,支持存在被磁序重整化的低能(~70 meV)电子激发。这些结果揭示了这一自旋轨道纠缠Mott绝缘体中晶格与电子自由度之间相互作用的新方面。
引用
@article{arxiv.1812.06006,
title = {Isospin-phonon coupling and Fano-interference in spin-orbit Mott insulator Sr2IrO4},
author = {Kousik Samanta and Danilo Rigitano and Pascoal Jose Giglio Pagliuso and Eduardo Granado},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.06006},
year = {2019}
}
备注
5 pages and 6 figures