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由拓扑磁电效应诱导的法诺共振

量子物理 2020-12-02 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

我们研究脉冲磁场中拓扑绝缘体纳米颗粒与量子点的相互作用。由于拓扑绝缘体是非磁性的,脉冲结束后仅存局域化的拓扑表面模,其按偶极玻色模量化,从而与量子点呈偶极耦合。因此,该杂化系统可视为与二能级系统相互作用的单一玻色模,其中耦合强度按磁电极化率量化。我们通过与辐射输出模连续谱库及声子模库的耦合来实现杂化系统与环境的交互。利用 Zubarev 格林函数方法,我们推导出系统光学吸收谱的表达式。我们发现法诺共振的出现,其为拓扑绝缘体 Z2\mathbb{Z}_{2} 不变量的直接体现。我们给出了由 TlBiSe2_2 构成的拓扑绝缘体纳米球与 CdSe 量子点相互作用的数值结果。

关键词

引用

@article{arxiv.2010.00333,
  title  = {Fano resonances induced by the topological magnetoelectric effect},
  author = {L. A. Castro-Enriquez and A. Martín-Ruiz},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2010.00333},
  year   = {2020}
}

备注

Accepted for publication in Europhysics Letters. arXiv admin note: text overlap with arXiv:2007.06145