拓扑绝缘体 Bi2Se3 表面的电子 - 声子耦合：由表面声子色散测量确定
材料科学
2012-05-07 v2 强关联电子
摘要
本文报道了在强拓扑绝缘体 Bi2Se3 的 (001) 表面上，狄拉克费米子准粒子 (DFQs) 与声子之间耦合的测量结果。虽然大多数关于此耦合的当代研究都涉及通过角分辨光电子能谱 (ARPES) 测量来考察 DFQ 自能的温度依赖性，但我们首次采用非弹性氦原子散射从声子角度探索这一耦合。利用希尔伯特变换，我们能够获得与我们先前工作 [1] 中确定的具有与 DFQs 强相互作用的色散表面声子支相关的声子自能的虚部。从该自能虚部中，我们获得了特定支的电子 - 声子耦合常数为 0.43，该值强于 ARPES 测量所报道的数值。
引用
@article{arxiv.1201.6346,
title = {Electron-phonon Coupling on the Surface of the Topological Insulator Bi2Se3: Determined from Surface Phonon Dispersion Measurements},
author = {Xuetao Zhu and Luiz Santos and Colin Howard and R. Sankar and Fangcheng Chou and Claudio Chamon and Michael El-Batanouny},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.6346},
year = {2012}
}