利用时间分辨光电子能谱区分拓扑绝缘体Bi2Se3中的体态和表面电子-声子耦合
强关联电子
2014-10-14 v1 材料科学
摘要
我们报告了在拓扑绝缘体Bi2Se3上的时间分辨和角分辨光电子能谱测量。我们观察到由于A1g声子模式的相干激发，体态和表面态的电子结构在2.23 THz频率下出现振荡调制。仅在表面态中观察到另一个不同的2.05 THz频率。表面处较低的声子频率归因于晶体的终止，从而减少了层间范德华力，这些力是面外晶格畸变的恢复力。DFT计算定量再现了表面声子软化的幅度。这些结果代表了拓扑绝缘体中A1g声子模式与表面态耦合的第一个能带分辨证据。
引用
@article{arxiv.1410.3437,
title = {Distinguishing bulk and surface electron-phonon coupling in the topological insulator Bi2Se3 using time-resolved photoemission spectroscopy},
author = {Jonathan A. Sobota and Shuolong Yang and Dominik Leuenberger and Alexander F. Kemper and James G. Analytis and Ian R. Fisher and Patrick S. Kirchmann and Thomas P. Devereaux and Zhi-Xun Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.3437},
year = {2014}
}