拓扑绝缘体 Bi2Se3 薄膜中表面声子与狄拉克等离激元态之间厚度可调的量子干涉
介观与纳米尺度物理
2015-06-23 v1
摘要
我们报道了当激光光子能量从 2.33 eV（532 nm）切换到 1.58 eV（785 nm）时，Bi2Se3 薄膜的拉曼响应增强超过 100 倍，这归因于在约 1.5 eV 共振能量下与狄拉克表面态（SS）的直接光耦合（与厚度无关的增强），以及归因于非线性激发的狄拉克等离激元（与厚度有关的增强）。由于直接光耦合，我们观测到由六方排列的 Se 原子构成的、与连续狄拉克 SS 网络相关的面内声子模式。该模式在厚度小于 15 nm 的薄膜中呈现 Fano 线形，源于表面声子与狄拉克等离激元态之间的量子干涉。
引用
@article{arxiv.1501.01849,
title = {Thickness tunable quantum interference between surface phonon and Dirac plasmon states in thin-films of the topological insulator Bi2Se3},
author = {Yuri D. Glinka and Sercan Babakiray and Trent A. Johnson and David Lederman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.01849},
year = {2015}
}