直接观测拓扑绝缘体与普通绝缘体界面处解耦的狄拉克态
材料科学
2013-11-20 v2
摘要
拓扑绝缘体中若干拟议的应用和奇特效应依赖于拓扑绝缘体与普通绝缘体界面处螺旋狄拉克态的存在。在本工作中，我们利用低能角分辨光电子能谱揭示并表征了生长在Si(111)上的BiSe薄膜和BiTe/BiSe异质结构的界面态。结果证实，狄拉克费米子确实存在于拓扑-普通绝缘体边界，而在拓扑-拓扑绝缘体界面则不存在。此外，我们证明了拓扑绝缘体薄膜内的能带弯曲导致界面态和表面态在能量上显著分离。这些结果为拓扑绝缘体薄膜异质结构中界面相关现象的进一步研究和实现铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1206.4183,
title = {Direct observation of decoupled Dirac states at the interface between topological and normal insulators},
author = {M. H. Berntsen and O. Götberg and B. M. Wojek and O. Tjernberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.4183},
year = {2013}
}
备注
9 pages, 5 figures