钝化拓扑 Bi2Se3 界面态的 Dirac 锥移动
介观与纳米尺度物理
2013-04-19 v3 强关联电子
摘要
对覆盖有 In2Se3 的外延 Bi2Se3 薄膜进行的门控太赫兹回旋共振测量，实现了从 Dirac 点附近到导带边以上的单个拓扑界面态的首次光谱表征。观察到散射率随 Fermi 能级的急剧下降，这被解释为表面态与体态退耦，以及 Dirac 点向带隙中部移动的证据。在 Dirac 点附近，从观察到的 Dirac 点附近微分光学谱权重的损失推断出 50 meV 的势涨落。从散射率台阶的宽度推断，在导带边附近的较高表面 Fermi 能级处，势涨落减小了一半。钝化的拓扑界面态在 Dirac 点附近达到了 3500 cm2/Vsec 的高迁移率。
引用
@article{arxiv.1208.3881,
title = {Dirac cone shift of a passivated topological Bi2Se3 interface state},
author = {Gregory S. Jenkins and Andrei B. Sushkov and Don C. Schmadel and Max Bichler and Gregor Koblmueller and Matthew Brahlek and Namrata Bansal and Seongshik Oh and H. Dennis Drew},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.3881},
year = {2013}
}
备注
12 Pages, 6 figures