三维狄拉克半金属候选材料 Ir$_2$In$_8$Se 中宽范围内的线性频率光学电导率
强关联电子
2022-09-15 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
在新狄拉克半金属候选材料 IrInSe 中，我们于 300 K 至 10 K 温度范围、40 至 30000 cm 频率范围内测量了其光学电导率。测量显示该化合物为低载流子密度金属。我们发现电导率实部 在 300 K 下从 500 到 4000 cm 的宽范围内随频率线性变化，并随降温略有改变。该线性强烈暗示存在费米能级附近能带交叉的三维线性电子能带。能带结构计算表明存在 II 型狄拉克点。通过将我们的数据与由能带结构计算所得光学电导率比较，我们得出结论：观测到的线性主要源于狄拉克锥以及狄拉克锥与次低能带间的跃迁。此外，在反射谱中电荷密度波相变温度以下分辨出弱能隙特征。在电子磁化率函数中识别出由不完全费米面嵌套产生的增强结构，暗示一种费米面嵌套驱动的失稳。
引用
@article{arxiv.2209.00785,
title = {Linear-in-Frequency Optical Conductivity over a broad range in the three-dimensional Dirac semimetal candidate Ir$_2$In$_8$Se},
author = {S. X. Xu and H. Q. Pi and R. S. Li and T. C. Hu and Q. Wu and D. Wu and H. M. Weng and N. L. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.00785},
year = {2022}
}