GdPtBi中源于三重点附近跃迁的线性频率光学电导率
介观与纳米尺度物理
2018-10-29 v2 材料科学
强关联电子
摘要
在零磁场、低至10 K的温度下，测量了半Heusler化合物GdPtBi在20至22000 cm（2.5 meV - 2.73 eV）频率范围内的复光学电导率。我们发现，对于 K，电导率的实部在50至800 cm（ 6 - 100 meV）的宽范围内几乎完美地随频率线性变化。这种线性强烈暗示存在三维线性电子能带，其在化学势附近具有能带交叉（节点）。能带结构计算显示了三重点的存在，即一个二重简并带与一个非简并带在化学势附近相互交叉。通过将我们的数据与由能带结构计算得到的光学电导率进行比较，我们得出结论：观测到的近线性源于三重点附近所有跃迁的累积效应。
引用
@article{arxiv.1803.00840,
title = {Linear-in-frequency optical conductivity in GdPtBi due to transitions near the triple points},
author = {F. Hütt and A. Yaresko and M. B. Schilling and C. Shekhar and C. Felser and M. Dressel and A. V. Pronin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.00840},
year = {2018}
}
备注
5+ pages, 5 figures, band-structure and optical-conductivity calculations added