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[001]取向狄拉克半金属 Cd$_{3}$As$_{2}$ 的带间光学电导率

介观与纳米尺度物理 2016-06-10 v3 材料科学 强关联电子

摘要

我们在 10 至 300 K 的温度范围内,测量了 [001] 取向的 nn 型掺杂 Cd3_{3}As2_{2} 在宽频率范围(50 - 22000 cm1^{-1})内的光学反射率。光学电导率 σ(ω)=σ1(ω)+iσ2(ω)\sigma(\omega) = \sigma_{1}(\omega) + {\rm i}\sigma_{2}(\omega) 在 (001) 平面内各向同性;其实部在 2000 至 8000 cm1^{-1} 的大区间内遵循幂律 σ1(ω)ω1.65\sigma_{1}(\omega) \propto \omega^{1.65}。该行为由两条狄拉克能带之间的带间跃迁引起,这两条能带可有效地由亚线性色散关系 E(k)k0.6E(k) \propto \lvert k \rvert ^{0.6} 描述。这些能带中载流子的动量平均费米速度依赖于能量,并根据距狄拉克点的距离在 1.2×1051.2 \times 10^{5}3×1053 \times 10^{5} m/s 之间变化。我们在 σ1(ω)\sigma_{1}(\omega) 中探测到类能隙特征,并将其与位于狄拉克点上方约 100100 meV 处的费米能级联系起来。

关键词

引用

@article{arxiv.1601.03299,
  title  = {Interband optical conductivity of the [001]-oriented Dirac semimetal Cd3As2},
  author = {D. Neubauer and J. P. Carbotte and A. A. Nateprov and A. Löhle and M. Dressel and A. V. Pronin},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1601.03299},
  year   = {2016}
}

备注

final version, as published in PRB