拓扑半金属YPtBi中的超导电性
超导电性
2011-12-22 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
非中心对称的半赫斯勒化合物YPtBi在临界温度T_c = 0.77 K以下表现出超导电性，其零温上临界场H_c2(0) = 1.5 T。磁阻和霍尔测量支持了理论预测，即该材料是一种拓扑非平庸的半金属，具有极低的空穴载流子浓度，仅为2 x 10^18 cm^-3。非常规的线性磁阻和舒布尼科夫-德哈斯振荡中的拍频现象指向自旋-轨道分裂的费米面。磁阻对表面粗糙度的敏感性暗示了表面态的可能贡献。YPtBi中非中心对称性与强自旋-轨道耦合的结合，为研究拓扑超导电性提供了一个有前景的平台。
引用
@article{arxiv.1109.0979,
title = {Superconductivity in the topological semimetal YPtBi},
author = {Nicholas P. Butch and P. Syers and Kevin Kirshenbaum and Andrew P. Hope and Johnpierre Paglione},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.0979},
year = {2011}
}
备注
4 pgs, 4 figs added magnetic susceptibility data, clarified figures & text