拓扑半金属 YPtBi 中的对称性破缺正常态响应与表面超导电性
超导电性
2024-03-01 v1 介观与纳米尺度物理
强关联电子
摘要
大多数半赫斯勒 RPtBi 化合物（R=稀土元素）由于自旋轨道耦合驱动的拓扑能带结构而拥有各种表面态。虽然最近的角分辨光电子能谱（ARPES）测量普遍报道了 RPtBi 中表面态的存在，但其他实验技术的证据仍然难以捉摸。在此，我们报道了 YPtBi 在正常态和超导态下电输运性质随磁场角度的变化响应。磁电阻和超导上临界场的角度依赖性打破了立方晶体结构的旋转对称性，且外加磁场与片状样品测量平面之间的夹角起主导作用。此外，对于面内磁场构型，测得的上临界场显著高于体响应，表明存在准二维超导电性。我们的工作表明，输运性质不能仅由体载流子响应来解释，需要 YPtBi 中存在稳健的正常态和超导表面态。
引用
@article{arxiv.2402.18735,
title = {Symmetry-breaking normal state response and surface superconductivity in topological semimetal YPtBi},
author = {Hyunsoo Kim and Tristin Metz and Halyna Hodovanets and Daniel Kraft and Kefeng Wang and Yun Suk Eo and Johnpierre Paglione},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.18735},
year = {2024}
}