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带有异常能階和金屬表面態的絕緣半貝武爾氏 TmPdSb

材料科学 2025-04-29 v2

摘要

本文提出了对半貝武爾氏化合物 TmPdSb 的理论与实验研究,探讨其异常能階和金属表面态。通常情况下,半貝武爾氏系统在半金属态中表现出拓扑特征,在绝缘态中表现为平凡特征。大多数半貝武爾氏系统的拓扑性质与 Fermi 能级附近的带逆有关,这类似于在 CdTe/HgTe 系统中观察到的现象。在 TmPdSb 系统中,我们观察到带隙电子能带结构,同时在导带中出现“带逆”,而类晶体系统实现了金属表面态。通过电子运输测量,证实了该化合物的绝缘性。实验数据揭示了由于金属表面态的存在,包括线性磁阻和弱反局化效应等多个特征,这些特征由增强的相干长度和极大的表面导电通道数表征。我们的发现揭示了稀有地金属半貝武爾氏的新特性。

关键词

引用

@article{arxiv.2406.10094,
  title  = {Insulating Half-Heusler TmPdSb with Unusual Band Order and Metallic Surface States},
  author = {Shovan Dan and Andrzej Ptok and Orest Pavlosiuk and Karan Singh and Piotr Wiśniewski and Dariusz Kaczorowski},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2406.10094},
  year   = {2025}
}

备注

12 pages, 4 figures, supporting information