基于第一性原理预测 Hg2CuTi 型 Heusler 化合物中的拓扑绝缘行为
材料科学
2013-02-22 v1
摘要
利用密度泛函理论内的第一性原理计算，研究了具有 Hg2CuTi 结构的 X2YZ Heusler 化合物的拓扑能带结构。我们的结果清楚地表明，大量 Hg2CuTi 型 Heusler 化合物自然表现出明显的能带反转特征，这主要由 Y-Z 闪锌矿子晶格控制。与半 Heusler 家族类似，Hg2CuTi 型 Heusler 化合物中的拓扑能带顺序对晶格常数的变化敏感，且大多数具有负的形成能，这使得它们更适合材料生长，并可通过合金化或适当的应变轻松实现拓扑绝缘行为。
引用
@article{arxiv.1211.0190,
title = {Prediction of topological insulating behavior in Hg2CuTi-type Heusler compounds from first principles},
author = {X. M. Zhang and W. H. Wang and E. K. Liu and Z. Y. Liu and G. D. Liu and G. H. Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.0190},
year = {2013}
}
备注
17 pages, 5 figures, submitted for publication