半赫斯勒拓扑绝缘体：基于 Tran-Blaha 修正 Becke-Johnson 密度泛函的第一性原理研究
材料科学
2011-01-28 v1 介观与纳米尺度物理
计算物理
摘要
我们利用第一性原理计算系统研究了半赫斯勒化合物的拓扑能带结构。采用修正的 Becke-Johnson 交换势结合局域密度近似关联势 (MBJLDA)，以获得精确的能带反转强度和能带顺序。结果表明，大量半赫斯勒化合物是三维拓扑绝缘体的候选材料。本文还讨论了使用局域密度近似 (LDA) 和 MBJLDA 势所获得的能带结构之间的差异。
引用
@article{arxiv.1010.2179,
title = {Half-Heusler Topological Insulators: A First-Principle Study with the Tran-Blaha Modified Becke-Johnson Density Functional},
author = {Wanxiang Feng and Di Xiao and Ying Zhang and Yugui Yao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.2179},
year = {2011}
}
备注
5 figures, 1 table