半赫斯勒化合物作为一类新型三维拓扑绝缘体
材料科学
2010-10-07 v1 计算物理
量子物理
摘要
利用密度泛函理论中的第一性原理计算，我们探索了将三元半赫斯勒化合物转化为一类新型三维拓扑绝缘体的可行性。我们证明，作为原型系统的无应变LaPtBi的电子结构表现出明显的能带反转特征。通过沿[001]方向施加单轴应变，在打开带隙的同时保持反转的能带顺序，实现了三维拓扑绝缘体相。通过直接计算无反演对称性系统中的拓扑Z2不变量，提供了应变LaPtBi作为三维拓扑绝缘体的确凿证据。我们讨论了本研究对其他半赫斯勒化合物作为三维拓扑绝缘体的启示，这些材料与这些材料的磁性和超导性质相结合，可能为新型量子现象提供丰富的平台。
引用
@article{arxiv.1008.0057,
title = {Half-Heusler Compounds as a New Class of Three-Dimensional Topological Insulators},
author = {Di Xiao and Yugui Yao and Wanxiang Feng and Jun Wen and Wenguang Zhu and Xingqiu Chen and G. Malcolm Stocks and Zhenyu Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.0057},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 5 figures; Phys. Rev. Lett. (in press)