近乎无带隙的过渡金属基Heusler半导体的准粒子能带结构
材料科学
2016-06-01 v1
摘要
基于过渡金属的Heusler半导体是从自旋电子学到热电学等多种应用的有前景材料。采用FLAPW方法框架内的 近似，我们研究了一些此类近乎无带隙半导体的准粒子能带结构。我们发现，与基于 \textit{sp} 电子的半导体（如Si和GaAs）相反，在这些体系中多体修正对电子能带结构的影响极小，且能带隙增加小于0.2~eV，这使得起点密度泛函理论（DFT）成为描述这些材料电子和光学性质的良好近似。此外，带隙可以通过改变晶格参数或替代 \emph{sp} 化学元素来调节。
引用
@article{arxiv.1603.04677,
title = {Quasiparticle band structure of the almost-gapless transition-metal-based Heusler semiconductors},
author = {M. Tas and E. Sasioglu and I. Galanakis and C. Friedrich and S. Blugel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.04677},
year = {2016}
}