自旋过滤与自旋无带隙半导体 Heusler 化合物的第一性原理 DFT+GW 研究
材料科学
2017-06-12 v2
摘要
在 Heusler 化合物中，磁性半导体（也称为自旋过滤材料）因其在自旋电子学/磁电子器件中提供新颖功能而被广泛研究。自旋无带隙半导体是一种特殊情况，它们在两个自旋通道之一中具有零或几乎为零的能隙。我们采用 近似，该方法允许对电子关联进行精细处理，以模拟这些材料的电子能带结构。我们的结果表明，在大多数情况下，使用 自能而非通常的密度泛函对于准确确定磁性半导体的电子性质至关重要。
引用
@article{arxiv.1703.02142,
title = {A first-principles DFT+GW study of spin-filter and spin-gapless semiconducting Heusler compounds},
author = {M. Tas and E. Sasioglu and C. Friedrich and I. Galanakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.02142},
year = {2017}
}
备注
Final version as published