新型自旋隙less 半导体家族：四元 Heusler 化合物
材料科学
2013-04-23 v1
摘要
利用第一性原理计算，我们研究了一系列四元 LiMgPdSn 型 Heusler 化合物的能带结构。计算结果表明，CoFeMnSi、CoFeCrAl、CoMnCrSi、CoFeVSi 和 FeMnCrSb 这五种化合物具有独特的电子结构，其特征为一个自旋方向存在半金属能隙，而另一个自旋方向为零宽度能隙，表现出自旋隙less 半导体行为。我们进一步分析了所涉及的所有四元 Heusler 合金的电子和磁学性质，并揭示了一个半经验通用规则（总价电子数为 26 或 28），用于识别 Heusler 化合物中的自旋隙less 半导体。此外，还讨论了晶格畸变和主族元素变化的影响。
引用
@article{arxiv.1301.7488,
title = {A New Spin Gapless Semiconductors Family: Quaternary Heusler Compounds},
author = {G. Z. Xu and E. K. Liu and Y. Du and G. J. Li and G. D. Liu and W. H. Wang and G. H. Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.7488},
year = {2013}
}
备注
20 pages, 5 figures, 1 supplementary file, submitted for publication