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基于稳定3d、4d和5d过渡金属的四元Heusler化合物的第一性原理研究

材料科学 2022-09-07 v2

摘要

实现Heusler化合物的稳定结构并研究其不同性质,是其在自旋电子学和磁电子器件中潜在应用的重要一步。本文在密度泛函理论(DFT)框架下采用平面波赝势方法,研究了25种四元Heusler化合物的电子、磁学和力学性质。利用开放量子材料数据库(OQMD)筛选大量化合物,以缩小可能可合成材料的范围。利用凸包距离和弹性常数确认化合物的热力学和力学稳定性。对不同结构的仔细研究表明,5种化合物结晶为type-1结构,而20种化合物采用type-3结构。通过电负性论证以及对不同结构中各自旋磁矩的研究,对观察到的行为给出了可能的解释。已识别出具有半金属性、无自旋隙半导体行为和抗磁性半导体性质等多种电子与磁学性质的化合物。

关键词

引用

@article{arxiv.2208.02401,
  title  = {Ab-initio study of stable 3d, 4d and 5d transition metal based Quaternary Heusler compounds},
  author = {Sashi Nepal and Ramesh Dhakal and Iosif Galanakis and Stephen M. Winter and Rajendra Prasad Adhikari and Gopi Chandra Kaphle},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2208.02401},
  year   = {2022}
}