L2_1 型反铁磁半导体全 Heusler 化合物的设计：第一性原理 DFT+GW 研究
材料科学
2017-02-23 v2
摘要
反铁磁自旋电子学是一个持续发展的研究领域。我们在 FLAPW 方法框架内，同时采用标准密度泛函理论和 近似，研究了七种潜在的反铁磁半导体 Heusler 化合物的电子和磁性质，这些化合物每单胞具有 18（或含 Zn 时为 28）个价电子。我们表明，在这些化合物中 G 型反铁磁性是基态，且它们均为半导体（CrScP、CrTiZn、VScP、VTiSi 和 VAl）或半金属（MnMgZn 和 MnNaAl）。相对于标准电子结构计算，多体修正对电子能带结构的影响极小。
引用
@article{arxiv.1611.08080,
title = {Design of L2_1-type antiferromagnetic semiconducting full-Heusler compounds: A first principles DFT+GW study},
author = {M. Tas and E. Sasioglu and C. Friedrich and S. Blugel and I. Galanakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.08080},
year = {2017}
}
备注
Journal of Applied Physics, in press