D0$_3$型 V$_3$Z (Z=Al, Ga, In) 化合物中的巡游G型反铁磁性：第一性原理研究
材料科学
2016-08-10 v1
摘要
Heusler化合物因其多样的磁性而被广泛研究，这使其成为自旋电子学和磁电子学应用的理想候选。处于亚稳态 D0 型 Heusler 结构的 VAl 是一种罕见反铁磁性无带隙行为的原型。我们基于最先进的电子结构计算，对 VAl、VGa 和 VIn 化合物的电子与磁性质进行了广泛研究。我们表明，这三者的基态均为 G 型巡游反铁磁性无带隙半导体。大的反铁磁交换相互作用导致非常高的 Néel 温度，预测约为 1000 K。这些化合物中无带隙与反铁磁行为的共存，可通过考虑晶胞中三个 V 原子同时存在，利用通常用于普通反 Heusler 化合物的论据来解释。我们期望我们对这些化合物的研究能进一步提升对其兴趣，以优化其生长条件并最终集成到器件中。
引用
@article{arxiv.1604.05137,
title = {Itinerant G-type antiferromagnetism in D0$_3$-type V$_3$Z (Z=Al, Ga, In) compounds: A first-principles study},
author = {Iosif Galanakis and Saban Tirpanci and Kemal Ozdogan and Ersoy Sasioglu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.05137},
year = {2016}
}
备注
Submitted to Physical Review B, 8 pages, 9 figures, 1 table