无间隙半导体V3Al的反铁磁相
材料科学
2015-06-24 v1
摘要
发现新的反铁磁化合物处于开发未来无杂散磁场自旋电子器件的前沿。V3Al的反铁磁无间隙半导体D03相通过电弧熔炼和退火成功合成。反铁磁性质通过原子特异性磁矩的同步辐射测量确立，其中磁二色性揭示了单个V原子上大而方向相反的磁矩。密度泛函理论计算证实了仅涉及三分之二V原子的G型反铁磁性的稳定性，而其余V原子为非磁性。磁化、X射线衍射和输运测量也支持该反铁磁性。这种原型无间隙半导体可被视为包含反铁磁元素的未来自旋电子器件的基石。
引用
@article{arxiv.1502.07318,
title = {Antiferromagnetic phase of the gapless semiconductor V3Al},
author = {M. E. Jamer and B. A. Assaf and G. E. Sterbinsky and D. Arena and L. H. Lewis and A. A. Saúl and G. Radtke and D. Heiman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.07318},
year = {2015}
}
备注
Accepted to Physics Review B on 02/23/15