外延室温反铁磁体CuMnAs的四方相
材料科学
2014-02-18 v1
摘要
最近的研究证明了反铁磁体作为自旋电子器件中活性组分的潜力。这与它们目前在硬盘读取头和磁存储器中作为钉扎层的被动作用形成对比。这里我们报道了一种新型高温反铁磁材料——四方相CuMnAs的外延生长，该材料具有优异的晶体质量、化学有序性和与现有半导体技术的兼容性。我们展示了其在III-V族半导体GaAs和GaP上的生长，并表明该结构也与Si晶格匹配。中子衍射显示具有高奈尔温度的共线反铁磁序。结合我们在CuMnAs/Fe双层中室温交换耦合的演示，我们得出结论：四方相CuMnAs薄膜是反铁磁自旋电子学的合适候选材料。
引用
@article{arxiv.1402.3624,
title = {Tetragonal phase of epitaxial room-temperature antiferromagnet CuMnAs},
author = {P. Wadley and V. Novák and R. P. Campion and C. Rinaldi and X. Martí and H. Reichlová and J. Zelezný and J. Gazquez and M. A. Roldan and M. Varela and D. Khalyavin and S. Langridge and D. Kriegner and F. Máca and J. Masek and R. Bertacco and V. Holy and A. W. Rushforth and K. W. Edmonds and B. L. Gallagher and C. T. Foxon and J. Wunderlich and T. Jungwirth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.3624},
year = {2014}
}
备注
16 pages, 5 figures, Published in Nature Communications (2013)