利用 Cu X 射线辐射求解与精修新型薄膜相：外延诱导的 CuMnAs 四方相
材料科学
2013-01-23 v1 仪器与探测器
摘要
我们提出了一种结合实验与计算的方法，仅利用 CuK{\alpha} 辐射即可精确确定薄膜中的原子位置。该技术的能力超越了简单的结构精修，能够求解由基底诱导应力稳定的新型未知相。我们推导了适当的校正方法，将测量的积分强度转换为结构因子。数据收集完全在常规可用的实验室衍射仪（CuK{\alpha} 辐射）上完成；后续分析采用单晶直接方法（{\delta} 循环程序），随后对晶胞内容的结构参数进行最小二乘精修。我们选择了在 GaAs 基底上外延生长的 CuMnAs 薄膜，其形成了具有四方对称性的晶体结构，不同于正交晶系的体相材料。在此，我们展示了在 GaAs 基底上外延生长的 CuMnAs 新四方相，并给出了高分辨率扫描透射电子显微镜与化学计量学分析的一致结果。
引用
@article{arxiv.1301.5227,
title = {Solving and refining novel thin film phases using Cu X-ray radiation: the epitaxy-induced CuMnAs tetragonal phase},
author = {P. Wadley and A. Crespi and J. Gazquez and M. A. Roldan and P. Garcia and V. Novak and R. Campion and T. Jungwirth and C. Rinaldi and X. Marti and V. Holy and C. Frontera and J. Rius},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.5227},
year = {2013}
}