CuMnAs 的分子束外延
材料科学
2020-02-05 v1
摘要
我们详细研究了用分子束外延技术生长反铁磁性 CuMnAs 的四方多晶型物。我们探索了生长条件的参数空间及其对材料微观结构与输运性质的影响。我们确定了其典型结构缺陷，并比较了在 GaP、GaAs 和 Si 衬底上生长的外延 CuMnAs 层的性质。最后，我们研究了 CuMnAs 的晶体质量与其在电力诱导电阻开关方面性能的关联。
引用
@article{arxiv.1911.01794,
title = {Molecular beam epitaxy of CuMnAs},
author = {Filip Krizek and Zdeněk Kašpar and Aliaksei Vetushka and Dominik Kriegner and Elisabetta M. Fiordaliso and Jan Michalicka and Ondřej Man and Jan Zubáč and Martin Brajer and Victoria A. Hills and Kevin W. Edmonds and Peter Wadley and Richard P. Campion and Kamil Olejník and Tomáš Jungwirth and Vít Novák},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.01794},
year = {2020}
}
备注
10 pages, 8 figures and supplementary material