分子束外延生长的具有垂直于平面磁易轴的 (Ga,Mn)(As,P)
材料科学
2009-11-13 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报告了对在 GaAs 衬底上通过分子束外延生长的 Ga0.94Mn0.06As1-yPy 层（y ≤ 0.3）的磁性、电学和结构特性的实验研究。X 射线衍射测量表明，这些层处于拉伸应变状态，从而导致磁易轴垂直于层平面。随着磷浓度的增加，磁各向异性强度和矫顽场也随之增加。所有样品的电阻率均表现出金属行为，且电阻率随 y 的增加而增大。这些材料将有助于研究需要具有垂直磁各向异性的金属铁磁材料的微磁现象。
引用
@article{arxiv.0807.1469,
title = {Molecular Beam Epitaxy grown (Ga,Mn)(As,P) with perpendicular to plane magnetic easy axis},
author = {A W Rushforth and M Wang and N R S Farley and R C Campion and K W Edmonds and C R Staddon and C T Foxon and B L Gallagher},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.1469},
year = {2009}
}